3M™ Trizact™ CMP Pad
3M Katalognummer
B40045199
3M™ Trizact™ CMP-Pads ermöglichen eine hochgradig reproduzierbare Leistung und Effizienz bei der Halbleiterproduktion.
Die Herausforderung beim chemisch-mechanischen Polieren (CMP) in der Halbleiterproduktion sind die Kosteneffizienz und eine konsistente Performance. Die Anforderung, beim Halbleiter-Herstellungsprozess fortlaufend eine höhere Produktausbeute zu erzielen, lässt keinen Spielraum für Schwankungen bei der Produktion, die zu Ausschuss führen oder die Zuverlässigkeit der Devices beeinträchtigen könnten. Anstatt bei der Halbleiterproduktion zwischen einer höheren Effizienz beim Polieren oder einer Vermeidung von Mängeln wählen zu müssen, sollten Sie sich für beides entscheiden. Benötigen Sie einen passenden Diamant-Pad Conditioner? Überspringen Sie diesen Schritt. Definieren Sie Ihren CMP-Prozess mit den 3M™ Trizact™ CMP-Pads neu.
Lassen Sie uns zusammenarbeiten. Wenden Sie sich mit Ihren derzeitigen Prozessanforderungen an uns und sichern Sie sich direkte Unterstützung durch ein engagiertes Team von technischen Experten. Profitieren Sie dabei von unseren globalen Labor- und Fertigungskapazitäten, die Ihnen lokale Stichproben und Produktiterationen ermöglichen.
Das Herzstück jedes 3M™ Trizact™ CMP-Pads ist die Mikroreplikation – eine zentrale Technologie von 3M, die es uns ermöglicht, mikroskopisch kleine 3D-Strukturen präzise auf die Pad-Oberfläche zu übertragen.
Dieser hochgradig kontrollierte und abstimmbare Prozess ordnet Asperities und Poren in unabhängigen Einheitszellen an. Dadurch wird ein gleichmäßiges Polieren und ein einheitlicher Druck auf dem Wafer während des Halbleiter-Herstellungsprozesses ermöglicht, was ideal für neueste Technologien ist. Nach mehr als 1.000 Wafer-Durchläufen behielten die mikroreplizierten Pads von 3M ihre dimensionale Integrität bei – dabei zeigten sie einen mehr als 15-fach geringeren Verschleiß als ein herkömmliches Pad [1, S. 6].
Mikroreplizierte CMP-Pads von 3M zeigten im Vergleich zu herkömmlichen Pads eine sehr konsistente Stabilität, Wiederholbarkeit und Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer über mindestens 2.000 Wafer-Durchläufe hinweg (gemessen anhand des niedrigeren Grades an Uneinheitlichkeit innerhalb der Chips (Within-Die Non-Uniformity, WIDNU) [1, S. 5]). Bei Tests wurden mit 3M™ Trizact™ CMP-Pads eine um mehr als 30 % verringerte Gate Height-WIDNU und eine um mehr als 40 % verringerte dielektrische Dicken-WIDNU auf dem Anguss erzielt.
Quelle: [1] A Microreplicated Pad for Tungsten Chemical-Mechanical Planarization
3M™ Trizact™ CMP-Pads ermöglichen ein schnelles, präzises und gleichmäßiges Planarisieren bei der Halbleiterproduktion. Während bei einem herkömmlichen Pad möglicherweise eine dicke, ineffiziente Oxidschicht von mehr als 2.000 Angström (Å) über einer Siliziumnitridschicht aufgetragen werden muss, um Spielraum für eine ungenaue Planarisierung zu schaffen, benötigen 3M Pads nur 65 % dieser Menge.
Dadurch reduziert sich sowohl die Oxidablagerung als auch die für das CMP-Verfahren erforderliche Aufschlämmung. Außerdem bedeutet weniger zu entfernendes Material auch weniger Zeitaufwand für das Polieren. Tests haben gezeigt, dass mehr als 50 % weniger Zeit zum Entfernen einer Oxidschicht benötigt wird, als bei einem herkömmlichen Diamantkorn-Pad.
Unsere breite Palette an 3M™ CMP-Pad Conditionern erfüllt die Prozessanforderungen vieler verschiedener Anwendungen beim Herstellen von Halbleiter – von der mikroreplizierten Konsistenz der 3M™ Trizact™ Pad-Conditioner für fortschrittliche Nodes bis hin zu Diamant-Conditionern und den wirtschaftlichen weichen Bürsten für Legacy-Nodes.
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3M Katalognummer
B40045199